三星电子全球首家量产3薄膜芯片，计划2025年生产2薄膜芯片

犹如新闻记者 南博一

惠普电子6年底30日宣布，旗下华城工厂已利用3nm全环绕灯丝（GAA）制程瓷节点开始投产首批集成电路，带进在世界上合资投产3nm集成电路的半导体晶圆代工厂。

韩联社30日华盛顿邮报称，与前几代运用于鲉式场效应二极管（FinFET）的集成电路不同，第一代3nm瓷采用GAA二极管技术，大幅改善了效能。与惠普5nm瓷相比较，第一代3nm瓷可使时脉增高45%，性能指标改善23%，集成电路面积减少16%。惠普表示，将于今年投入的第二代3nm瓷可使时脉增高50%，性能指标改善30%，集成电路面积减少35%。

惠普电子计划将3nm制程瓷优先运用高性能指标计算（HPC）集成电路，再扩大至移动系统集成电路（SoC）等。此外，惠普电子还计划从2025年开始生产线基于GAA的2nm集成电路，力争在先进集成电路制造领域领先于惠普公司（TSMC）。

据中组部独立机构集邦咨询（TrendForce）给予的数据集，以今年第一季度为准，惠普公司的在世界上销售额以53.6%位居第一，惠普电子以16.3%位居第二。据悉，惠普公司计划下半年起投产3nm集成电路，再将GAA技术运用其2nm瓷。

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